|
☰ Все разделы → Комплектующие Память для компьютера в городе Ртищево➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные Память для компьютера — купить в городе Ртищево и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 30593 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Ртищево, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 30593 шт:
Team Group TD*ED432G2800HC16CDC01 - DDR4 2800 (PC 22400) DIMM 288 pin, 2x16 Гб, 1.2 В, CL 16
Оперативная память Kingston KVR133X64C3L/128 - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x128 МБ, низкопрофильная, 3.3 В, CL 3
Lenovo 4X70G88320 - DDR4 2400 (PC 19200) DIMM 288 pin, 1x32 Гб, буферизованная, ECC, 1.2 В
Geil GPB38GB1600C11DC - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Оперативная память Transcend TS128MDR72V6A - DDR 266 (PC 2100) DIMM 184 pin, 1x1 ГБ, буферизованная, ECC, 2.5 В, CL 2.5
Тип памяти DDR3, Количество в упаковке 1, Объем 2048, Частотная спецификация 1333, Форм-фактор DIMM, Тип поставки OEM, Срок гарантии (в месяцах) 999
Оперативная память Transcend TS64MMI6033 - SDRAM 66 SODIMM 144 pin, 1x64 МБ, 3.3 В
Оперативная память 4 GB 1 шт. Synology D4ES01-4G - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 4 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2666 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 19
Оперативная память Transcend TS64MCQ3614 - SDRAM 100 DIMM 168 pin, 1x64 МБ, буферизованная, ECC, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Transcend TS32MIB0284 - SDRAM 66 DIMM 168 pin, 1x32 МБ, 3.3 В
Оперативная память OCZ OCZ266256C2 - DDR 266 (PC 2100) DIMM 184 pin, 1x256 МБ, CL 2
Оперативная память Transcend TS128MQR72V5K - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 1x1 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 4
Оперативная память Corsair VS1GBKIT333 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 1x1 ГБ
Silicon Power SP004GBSTU160N01 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Оперативная память Crucial Ballistix MAX RGB 32GB (16GBx2) 4400MHz CL19 (BLM2K16G44C19U4BL) - объем памяти: 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 4400 МГц, тайминги: 19-19-19-43, напряжение питания: 1.4 В, пропускная способность: PC35200, радиатор: да, RGB-подсветка: да, поддержка XMP: да
Отзывы о Оперативная память Crucial Ballistix MAX RGB 32GB (16GBx2) 4400MHz CL19 (BLM2K16G44C19U4BL)
Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR
Kingmax VLP DDR3 1333 DIMM Registered ECC 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Оперативная память Corsair CMT32GX4M2C3000C15 - DDR4 3000 (PC 24000) DIMM 288 pin, 2x16 ГБ, 1.35 В, CL 15
Оперативная память Transcend JM388Q643A-5 - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 1x1 ГБ, 1.8 В, CL 4
Оперативная память HP PX976AA - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x1 ГБ
Kingston Оперативная память 64Gb (2x32Gb) PC4-24000 3000MHz DDR4 DIMM CL16 Kingston HX430C16FB3AK2/64 - x0 МБ
1 модуль памяти DDR4,
объем модуля 16 Гб,
форм-фактор DIMM, 288-контактный,
частота 2133 МГц,
радиатор,
CAS Latency (CL): 14
Оперативная память, DDR4, DIMM, 8GB, PC4-19200, 2400MHz, ECC Reg
Оперативная память Qumo 32GB 3200MHz CL22 (QUM4S-32G3200N22) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 3200 МГц, тайминги: 22, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC25600
Отзывы о Оперативная память Qumo 32GB 3200MHz CL22 (QUM4S-32G3200N22)
Оперативная память Micron 4GB 1333MHz CL9 (MT36JDZS51272PZ-1G4F1) - объем памяти: 4 ГБ, тип: DDR3 DIMM 240-pin, тактовая частота: 1333 МГц, тайминги: 9-9-9, напряжение питания: 1.5 В, пропускная способность: PC10600, радиатор: да, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Micron 4GB 1333MHz CL9 (MT36JDZS51272PZ-1G4F1)
ADATA AX4U3300W4G16-DGZ - DDR4 3300 (PC 26400) DIMM 288 pin, 2x4 Гб, 1.35 В, CL 16
Оперативная память HyperX HX424C15FW/16 - DDR4 2400 (PC 19200) DIMM 288 pin, 1x16 ГБ, 1.2 В, CL 15
Оперативная память Hynix 16GB 1333MHz CL9 (HMT42GR7MFR4C-H9) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR3 DIMM 240-pin, тактовая частота: 1333 МГц, тайминги: 9-9-9-24, напряжение питания: 1.5 В, пропускная способность: PC10600, радиатор: да, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Hynix 16GB 1333MHz CL9 (HMT42GR7MFR4C-H9)
Оперативная память OCZ OCZ3P13332GK - DDR3 1333 (PC 10666) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, 1.8 В, CL 7
Оперативная память TakeMS DDR2 533 SO-DIMM 512Mb - DDR2 533 (PC2 4200) SODIMM 200 pin, 1x512 МБ, 1.8 В
Оперативная память Team Group TEDD512M667HC5 - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x512 МБ, 1.8 В, CL 5
1 модуль памяти объемом 8Гб, тип DDR3, форм-фактор DIMM, количество контактов 240, частота 1600МГц.
Оперативная память AENEON AET661FB00-30D - DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240 pin, 1x512 МБ, буферизованная, ECC, CL 5
Оперативная память PNY Sodimm DDR2 533MHz kit 2GB (2x1GB) - DDR2 533 (PC2 4300) SODIMM 200 pin, 2x1 ГБ, 1.8 В, CL 4
Отзывы о Оперативная память PNY Sodimm DDR2 533MHz kit 2GB (2x1GB)
Оперативная память Simple Technology S1024M3RHK1 - DDR 333 (PC 2700) DIMM 184 pin, 1x1 ГБ, буферизованная, ECC
Geil GFR432GB3000C14QC - DDR4 3000 (PC 24000) DIMM 288 pin, 4x8 Гб, 1.35 В, CL 14
Оперативная память Patriot Memory PSD251266782S - DDR2 667 (PC2 5300) SODIMM 200 pin, 1x512 МБ, 1.8 В, CL 5
Lenovo 44T1599 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Оперативная память HyperX HX426C16FRK4/64 - DDR4 2666 (PC 21300) DIMM 288 pin, 4x16 ГБ, 1.2 В, CL 16
Оперативная память Apple DDR2 667 FB-DIMM 8GB (2x4GB) - DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM, 2x4 ГБ, буферизованная, ECC
Отзывы о Оперативная память Apple DDR2 667 FB-DIMM 8GB (2x4GB)
Компьютерная память, DDR4 2133 (PC 17000) DIMM 288 pin, 1x8 Гб, ECC, 1.2 В, CL 15.
Отзывы о Samsung DDR4 2133 ECC DIMM 8Gb (M391A1G43DB0-CPB00)
Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Kingmax KM-SD3-1600-2GS - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 ГБ, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц
Отзывы о Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Kingmax KM-SD3-1600-2GS
1 модуль памяти, объем 8Гб, тип DDR4, форм-фактор DIMM, частота 2133МГц, 288 контактов.
Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 16Gb - DDR4 2133 SODIMM 260 pin, 1x16 Гб, 1.2 В, CL 15
Оперативная память OCZ OCZ2SOU8002GK - DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, 2 В, CL 4
Оперативная память Patriot Memory PDC24G8500ELKR2 - DDR2 1066 (PC2 8500) DIMM 240 pin, 2x2 ГБ, 2.1 В, CL 5
Kingston KVR13LSE9/2 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 9
Team Group TDD316G1600HC9DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Crucial CT16G3ERVLD41339 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Mushkin 997071 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Geil GWW416GB3000C14DC - DDR4 3000 (PC 24000) DIMM 288 pin, 2x8 Гб, 1.35 В, CL 14
Patriot Memory PSA32G133381S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Geil GEV316GB2666C11QC - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2666 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Geil GB312GB1600C9TC - 3 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 9
Оперативная память Micron 8GB 667MHz CL5 (MT36HTS1G72FY-667A1D4) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR2 FB-DIMM, тактовая частота: 667 МГц, тайминги: 5-5-5, пропускная способность: PC5300, радиатор: да, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Micron 8GB 667MHz CL5 (MT36HTS1G72FY-667A1D4)
Team Group TSD34096M1600C11-E - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-14900CL8D-8GBXM - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 8
Silicon Power SP002GBFRE800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Transcend TS1GNE1510 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Kingston KTH-PL310Q8/8G - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, поддержка ECC
G.SKILL F3-12800CL6D-4GBPI - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 6
Kingston KTS5287K2/8G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC
HP AD275A - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC
Silicon Power SP001GBLDU400O02 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MIB9832 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 333 МГц, CAS Latency (CL): 2.5
Transcend TS256MCQ8278 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Страницы ← Предыдущая Следующая →
... 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 ...
Страница 226 из 333
Доставка товаров из категории "память для компьютера " - в городе в Ртищево от 2х дней. Контакты - Ртищево » Изменить Город |