|
☰ Все разделы → Комплектующие 3 Память для компьютера - CL 3 в городе Ртищево➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 3 Память для компьютера — купить в городе Ртищево и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 1191 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Ртищево, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 1191 шт:
Qumo DDR 400 DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц
Transcend TS32MSS64V6G - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Samsung DDR2 533 ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
HP 390824-B21 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS64MLD64V4J - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400X64C3A/256 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Оперативная память Kingston KVR400X72C3A/256 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 1x256 МБ, ECC, 2.6 В, CL 3
Оперативная память Kingston KVR400X72C3A/512 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 1x512 МБ, ECC, 2.6 В, CL 3
Оперативная память Kingston KVR133X64C3/512 - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x512 МБ, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Transcend TS32MLS64V6D - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x256 МБ, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Transcend TS16MLS72V6W - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x128 МБ, ECC, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Kingston KVR400D2D8R3K2/2G - DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 3
Оперативная память Lenovo 22P9272 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 1x1 ГБ, CL 3
Оперативная память Lenovo 30R5088 - DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240 pin, 2x512 МБ, ECC, 1.8 В, CL 3
Оперативная память Lenovo 39M5858 - DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240 pin, 1x512 МБ, буферизованная, ECC, CL 3
Оперативная память Lenovo 73P5122 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, 2.5 В, CL 3
Оперативная память Lenovo 39M5806 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, CL 3
Lenovo 39M5800 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Оперативная память 256 МБ 1 шт. Kingston KVR400X64C3/256 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 МБ, форм-фактор DIMM, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Отзывы о Оперативная память 256 МБ 1 шт. Kingston KVR400X64C3/256
378915-005 HP Оперативная память HP 2GB PC3200/400MHz SDRAM [378915-005] - тип: DDR, объем одного модуля: 2 ГБ, тактовая частота: 400 МГц, Форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 3
Отзывы о 378915-005 HP Оперативная память HP 2GB PC3200/400MHz SDRAM [378915-005]
Team Group TED12G400HC3DC01 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11G400HC3DC01 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11G400HC301 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED1512M400HC301 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED12G400C3DC-S01 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11GM400C3-S01 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11G400C3-S01 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Silicon Power SP001GBSDU400O01 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT25672Y40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Mushkin 991493 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 500 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 3
Team Group TSDR512M400C3-E - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TSDR1024M400C3-E - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Foxline FL400D1S03-1G - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Foxline FL400D1U3-1G - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Patriot Memory PSD21G4002S - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GNE120RB - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GNE012 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Mushkin 991093i - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MSU7045 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GT7305 - 4 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GNE013 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GSI3072 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Samsung DDR2 400 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MCQ467X - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GIB4792 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GCQ3056 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS8GCQ8106 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS8GIB5145 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ9300 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ3057 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ8200 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GCQ1695 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GSU9210 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ9083 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GHP152A - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GDL670 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GSYRZ73 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GAC22000 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GDL4113 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT12864X40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Silicon Power SP001GBSDU400O02 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GIB2866 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT6464Z40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT12864Z40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend JM367D643A-5L - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GFJ3510 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 30R5145 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 39M5815 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 39M5812 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 41Y2765 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400D2S4R3K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MQR72V4T - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400D2D4R3/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Patriot Memory PSD5124003 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Apacer DDR 400 DIMM 1Gb CL3 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 39M5821 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Silicon Power SP001GBLDU400O02 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MDR72V4L - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Hynix Low Profile DDR2 400 Registered ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400D2S4R3/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 73P2866 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MQR72V4T - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Patriot Memory PSD1G40016S - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GFJ3200 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GFJ630 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GNE011 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MPA0512U - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор MicroDIMM, 172-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GCQ468A - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GDL4110 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 3" - в городе в Ртищево от 2х дней. Контакты - Ртищево » Изменить Город |